A Intel anuncia o lançamento de um revolucionário design de transistor 3-D chamado Tri-Gate, revelado pela primeira vez em 2002, e que será incluído na linha de produção em larga escala no  nó processo de produção de 22 nanômetros (nm) ainda nesse ano, em um chip da Intel de codinome Ivy Bridge.  



Os novos transistores tridimensionais Tri-Gate representam uma mudança fundamental da estrutura bidimensional plana do transistor que equipou não apenas todos os computadores, telefones móveis e eletrônicos de consumo até hoje, mas também os controles eletrônicos de carros, espaçonaves, utilidades domésticas, dispositivos médicos e milhares de outros dispositivos usados diariamente há décadas.



A novidade possibilita que os chips operem em voltagens menores e com menores perdas, fornecendo uma combinação sem precedentes de alto desempenho com eficiência no consumo de energia, se comparado ao melhor transistor da geração anterior. Essas capacidades dão aos projetistas de chips a flexibilidade para escolher transistores voltados para baixo e alto desempenho, dependendo da aplicação.



 Os transistores 3-D Tri-Gate de 22nm são ideais para o uso em dispositivos móveis pequenos, que operam usando menos energia fornecendo uma melhoria de 37% no desempenho em baixa voltagem se comparados aos transistores planos de 32nm da Intel.



“Juntamente com as invenções anteriores da Intel da tecnologia high-k metal gate e do silício tensionado, lançados em 2007 e 2003, respectivamente, os novos transistores 3-D ajudarão a Intel a reduzir dramaticamente o consumo de energia e os custos por transistor ao mesmo tempo em que melhoram o desempenho. Isso nos permitirá fabricar os melhores produtos do mundo para tudo, de dispositivos móveis de tamanho reduzido aos mais rápidos supercomputadores do mundo”, afirma o presidente e CEO da Intel, Paul Otellini.